SSM3K302T
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM3K302T
电源管理开关应用
高速开关应用
1.8 V驱动器
低导通电阻：
R
on
= 131毫欧（最大值） （ @V
GS
= 1.8V)
R
on
=
R
on
=
87mΩ （最大值） （ @V
GS
= 2.5V)
71毫欧（最大值） （ @V
GS
= 4.0V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±
12
3.0
6.0
700
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
JEDEC
―
温度等）可能会导致此产品在减少
JEITA
―
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
东芝
2-3S1A
绝对最大额定值。
重量： 10毫克（典型值）。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ），并
个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
注1 ：安装在FR4板。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
注意：
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
打开-O FF时间
t
on
t
关闭
V
DSF
V
DS
= 15 V，I
DS
= 3.0 A
V
GS
= 4 V
V
DD
=
10 V，I
D
=
2 A,
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
=
3.0 A，V
GS
=
0 V
(Note2)
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
测试条件
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
=
–12 V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±
12 V, V
DS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
2 A
I
D
=
2.0 A，V
GS
=
4.0 V
I
D
=
1.0 A，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
0.5 A ，V
GS
=
1.8 V
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
(Note2)
(Note2)
(Note2)
(Note2)
民
30
18
0.4
3.8
典型值。
7.7
52
64
81
270
56
47
4.3
2.8
1.5
20
31
– 0.85
最大
1
±1
1.0
71
87
131
– 1.2
ns
V
nC
pF
mΩ
单位
V
V
μA
μA
V
S
漏源正向电压
注2 ：脉冲测试
1
2007-11-01
