SSM3K16TE
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM3K16TE
高速开关应用
模拟开关应用
适合于高密度安装，由于紧凑的封装
低导通电阻，R
on
= 3.0
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: R
on
= 4.0
（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
: R
on
= 15
（最大值） （ @V
GS
= 1.5 V)
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
20
±10
100
200
100
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
―
―
东芝
2-1B1B
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
重量： 2.2毫克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
记号
3
等效电路
3
DS
1
2
1
2
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
