SSM3K116TU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM3K116TU
高速开关应用
2.5V驱动
低导通电阻：
单位：mm
R
on
= 135mΩ （最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
R
on
= 100mΩ的（最大） （ @V
GS
= 4.5 V)
0.65±0.05
2.1±0.1
1.7±0.1
+0.1
0.3 -0.05
3
0.166±0.05
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D（注1 ）
P
D（注2）
T
ch
T
英镑
等级
30
±
12
2.2
4.4
800
500
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
2.0±0.1
1
2
重负载下连续使用（例如应用
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障
率等）。
注1 ：安装在陶瓷板上。
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8毫米， Cu焊盘： 645毫米）
注2 ：安装在FR4板。
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6毫米， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注意：
UFM
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2U1A
重量： 6.6毫克（典型值）。
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
DSF
测试条件
I
D
=
1毫安，V
GS
=
0
I
D
=
1毫安，V
GS
= 12
V
V
DS
=
30 V, V
GS
=
0
V
GS
= ±12V,
V
DS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.25 A
I
D
=
0.5 A ，V
GS
=
4.5 V
I
D
=
0.25 A，V
GS
=
2.5 V
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
10 V，I
D
=
0.25 A,
V
GS
=
0 2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
I
D
= 2.2A,
V
GS
=
0 V
(Note3)
(Note3)
(Note3)
(Note3)
民
30
18
0.5
1
典型值。
2
75
95
245
41
33
9
15
0.83
最大
1
±1
1.1
100
135
-1.2
单位
V
μA
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
V
漏源正向电压
注3 ：脉冲测试
0.7±0.05
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
1
2007-11-01
