SSM5G02TU
MOSFET
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
+8 V
V
DS
= 12
V, V
GS
=
0
V
DS
= 3V,
I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.5
A
I
D
= 0.5
A，V
GS
= 4
V
I
D
= 0.5
A，V
GS
= 2.5
V
（注4 ）
（注4 ）
（注4 ）
民
12
4
0.4
1.3
典型值。
2.5
125
180
310
70
110
20
32
最大
±1
1
1.1
160
240
单位
μA
V
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= 10
V，I
D
= 0.5
A
V
GS
=
0 -2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
注4 ：脉冲测量
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
2.5
V
10
μs
OUT
V
DD
= 10
V
R
G
=
4.7
Ω
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
0V
10%
90%
IN
R
G
2.5
V
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
（三）V
OUT
V
DD
V
DD
t
f
t
关闭
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 100 μA
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要更高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要的电压比V低
th
.
（关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
3
2007-11-01
