SSM6L10TU
东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型
SSM6L10TU
高速开关应用
最适用于小型封装的高密度安装
低导通电阻
Q1:
R
on
= 395mΩ （最大值） （ @V
GS
= 1.8 V)
Q2:
R
on
= 980mΩ （最大值） （ @V
GS
= -1.8 V)
单位：mm
2.1±0.1
1.7±0.1
0.65 0.65
单位
V
V
A
Q1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
2.0±0.1
1.3±0.1
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
20
±
12
0.5
1.5
1
2
3
6
5
4
Q2绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
等级
-20
±
8
-0.5
-1.5
单位
V
V
A
0.7±0.05
UF6
1.Source1
2.Gate1
3.Drain2
4.Source2
5.Gate2
6.Drain1
―
―
2-2T1B
绝对最大额定值
（ Q1 ， Q2通用）（ TA = 25 ° C）
特征
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
P
D
（注1 ）
JEDEC
JEITA
东芝
等级
500
150
55~150
单位
mW
°C
°C
重量： 7.0毫克（典型值）。
T
ch
T
英镑
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板。 （总功耗）
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米）
记号
6
5
4
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
5
4
K7
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），可确保环境是
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱和其他对象
该直接接触与设备应当由防静电材料。
1
2007-11-01
+0.06
0.16-0.05
+0.1
0.3-0.05
