STP22NM50 - STP22NM50FP
STB22NM50 - STB22NM50-1
N沟道500V - 0.16Ω - 20A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
高级数据
TYPE
STP22NM50
STP22NM50FP
STB22NM50
STB22NM50-1
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
<0.215
<0.215
<0.215
<0.215
R
DS （ ON）
*Q
g
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
I
D
20 A
20 A
20 A
20 A
3
1
D
2
PAK
TO-220
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.16Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220FP
12
3
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET技
术相关联的多个排水过程
该公司的PowerMESH 水平布局。该
得到的产品具有出色的低导通电阻
tance ，令人印象深刻的高dv / dt和优异的雪崩
的特点。通过本公司的propri-的
etary条技术产量整体动态perfor-
曼斯是比类似显著更好
竞争的产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器允许系功率密度
统的小型化和更高的效率。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
IPAK
（无接头的TO-220 ）
国内
原理图
价值
STP(B)22NM50(-1)
500
500
±30
20
12.6
80
192
1.2
15
--
-65到150
150
(1)I
SD
≤20A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
单位
STP22NM50FP
V
V
V
20(*)
12.6(*)
80(*)
45
0.36
2000
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年1月
1/10
