晶体管
2SD1119
NPN硅外延平面型
对于低频功率放大
单位：mm
s
特点
2.6±0.1
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
q
q
q
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
在高效率运转良好表现
低电压电源。
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
4.0
–0.20
0.4±0.04
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
40
25
7
5
3
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 62
迷你功率型封装
记号
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
*
标记符号：
T
1
150
–55 ~ +150
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 10V ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
*2
V
CE
= 2V ，我
C
= 2A
*2
I
C
= 3A ，我
B
=
0.1A
*2
150
50
*2
民
典型值
最大
0.1
2.5±0.1
+0.25
单位
A
V
V
25
7
230
150
1
600
V
兆赫
pF
V
CB
= 6V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
秩
h
FE1
Q
230 ~ 380
TQ
R
340 ~ 600
TR
标记符号
1
