位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2524页 > M4T32-BR12SH > M4T32-BR12SH PDF资料 > M4T32-BR12SH PDF资料3第4页
M4T28 - BR12SH ， M4T32 ， BR12SH
最大额定值
强调上面列出的等级的设备
“绝对最大额定值”表可能会导致
永久损坏设备。这些都是
值仅为设备的操作
这些或任何高于它指示其他条件
编辑本说明书中的操作部分是
表2.绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
参数
1级
工作环境温度
存储温度（V
CC
关闭，振荡器关闭）
六年级
(1)
价值
0到70
-40到85
-40到85
单位
°C
°C
°C
不是暗示。暴露在绝对最大额定
荷兰国际集团的条件下长时间可能会影响DE-
副
可靠性。
参考
还
to
该
意法半导体SURE计划和其他rel-
埃文特高质量的文档。
注： 1。只有M4T32 - BR12SH在工业级温度（ 6年级）提供。
注意事项：
不要波焊SOIC ，以避免损坏SNAPHAT插座。
DC和AC参数
本节总结了操作和测
surement条件，以及直流和交流
该装置的特征。在参数
以下DC和AC特性表是
从下测量进行的测试得出
在相关的表中列出换货条件。 DE-
签名者应检查运行条件
在他们的项目相匹配的测量条件
使用引用参数时，系统蒸发散。
表3.操作和AC测量条件
参数
标称电池电压（V
CC
)
标称电池容量
电池化学
晶体负载电容（C
L
)
标称晶振频率
水晶精度（ 25°C ）
M4T28-BR12SH
2.8
48
李（ CF ）
12.5
32.768
± 35
M4T32-BR12SH
2.8
120
李（ CF ）
12.5
32.768
± 35
pF
千赫
PPM
单位
V
MAH
4/12
