位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2524页 > M4T32-BR12SH > M4T32-BR12SH PDF资料 > M4T32-BR12SH PDF资料4第16页
手术
M41T94
3.2
读写周期
地址和数据移位MSB优先为串行数据输入（ SDI）的进出连载
数据输出（ SDO ） 。任何数据传输认为的第一个位来定义是否READ或
会出现写。这之后是七比特定义要读取或写入的地址。
数据被送出，SDO为一个读操作并进入SDI为一个写
操作。的地址总是第二贯通后的使能写入的第八个比特
（ E）引脚变为低电平。如果第一位是“1 ”，将发生一个或多个写周期。如果第一位是一
“0”，就会发生一个或多个读周期（参见图
图9 17页
和
图10
第17页） 。
数据传输可以发生一个字节的时间或在多字节的突发模式，在此期间
地址指针将自动递增。对于单个字节的传输，一个字节是
读取或写入，然后E被驱动为高电平。对于多字节传送所有要求是
到，电子继续保持较低水平。在这种条件下，地址指针将继续
递增如前所述。递增将继续，直到该设备是通过取消选择
服用ê高。递增到3Fh后的地址将包裹为00h 。
时钟数据的系统到用户的传输将被停止时被读出的地址是
时钟地址（ 00h至07h的） 。虽然时钟继续保持正确的时间这一点，
可以防止在这些地址的任何一个读取或写入的时间和日期更新
由用户的位置。此更新将恢复或者因取消选择状态，或当
指针加一个非时钟或RAM地址（ 08H到3Fh ） 。
注意：
这才是真正的无论是在读写方式。
3.3
数据保持方式
凭有效V
CC
施加时， M41T94可以如上面的READ或访问
写周期。如果电源电压衰减时， M41T94会自动取消，
写保护自己当V
CC
V介于
PFD
（最大值）和V
PFD
（分）（见
图17
第32页） 。
此时，复位管脚（RST）被驱动为有效并且将保持有效直至V
CC
返回到正常的水平。当V
CC
下降到低于切换电压（V
SO
） ，电源输入
从V开关
CC
销到SNAPHAT电池（或外部电池SO16 ） ，在此
时间，并在时钟寄存器保持从附加电池供电。所有输出
成为高阻抗。上电时，当V
CC
返回到标称值，写
保护持续吨
REC
通过内部抑制大肠杆菌的RST信号也保持活跃
在这段时间内（见
图17第32页） 。
下一个活动周期之前，芯片使能
应采取高，至少吨
EHEL
，则低。
对于电池寿命计算的进一步更详细的审查，请参阅应用
注意AN1012 。
16/40
