位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2524页 > M4T32-BR12SH > M4T32-BR12SH PDF资料 > M4T32-BR12SH PDF资料6第20页
DC和AC参数
表6 。
符号
C
IN
C
OUT(3)
t
LP
M41T11
电容
参数
(1)(2)
输入电容（ SCL ）
输出电容（ SDA ， FT / OUT ）
低通滤波器的输入时间常数（ SDA和SCL ）
250
民
最大
7
10
1000
单位
pF
pF
ns
用在5V电源测量1.有效电容;只有采样，而不是100 ％测试。
2.在25 ° C，F = 1MHz的。
3.输出取消。
表7中。
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机）
输入低电压
输入高电压
输出低电压
上拉电源电压
（漏极开路）
I
OL
= 3毫安
FT / OUT
2.5
(3)
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 0V,
振荡器，V
BAT
= 3V
3
0.8
测试条件
(1)
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
开关频率在100kHz =
SCL ， SDA = V
CC
– 0.3V
–0.3
0.7V
CC
民
典型值
最大
±1
±1
300
70
0.3V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
5.5
3.5
(4)
1
单位
A
A
A
A
V
V
V
V
V
A
V
BAT(2)
I
BAT
电池电源电压
电池供电电流
1.有效的环境工作温度：T已
A
= -40 85 ℃; V
CC
= 2.0 5.5V （除非另有说明） 。
2.意法半导体的建议RAYOVAC BR1225和BR1632 （或同等学历）的电池供电。
3.切换后（V
SO
), V
BAT
（分钟）即可2.0V水晶有R
S
= 40K.
4.可再充电的后备，V
BAT
（最大）可被认为V
CC
.
表8 。
符号
f
O
水晶电气特性
参数
(1)(2)(3)
谐振频率
串联电阻
负载电容
12.5
民
典型值
32.768
60
最大
单位
千赫
k
pF
R
S
C
L
1.这些值外，如果采用SO8封装。意法半导体的建议KDS
DT - 38 ： 1TA / 1TC252E127 ，音叉型（通孔）或DMX - 26S ： 1TJS125FH2A212 ， （ SMD ）
石英晶体的工业温度操作。 KDS可以在kouhou@kdsj.co.jp接触或
http://www.kdsj.co.jp对这种晶型的详细信息。
2.负载电容的M41T11内部集成。电路板布局考虑为32.768kHz的
最小的走线长度和隔离射频信号生成结晶，应考虑在内。
3.所有SNAPHAT
电池：水晶上衣满足这些规范。
20/29
