三菱半导体
●晶体管
阵列
M63840P/FP/KP
8单位500毫安源类型达林顿晶体管，阵列钳位二极管
注1：测试电路
输入
V
S
50%
测量设备
PG
50Ω
R
L
C
L
产量
50%
产量
吨
花花公子
50%
输入
50%
时序图
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1KHz的，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF = 6ns的，莫宁= 50Ω ，
V
I
= 0½2.4V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 100Ω, V
S
= 40V
（ 3 ）静电电容C
L
包括F loating电容
在连接和输入电容的探头。
典型CHARACTERIST ICS
热降额因子特征
2.0
输出饱和电压
输出电流特性
-500
VS = 10V
V
I
= 2V
-400
M63840P
1.5
M63840FP
1.0
0.931
-300
TA = 85 ℃
-200
TA = 25 ℃
0.572
0.354
-100
TA = -40 °
M63840KP
0.5
0
0
25
50
75
85
100
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
环境温度Ta（ ℃ ）
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比输出电流特性
(M63840P)
-500
占空比输出电流特性
(M63840P)
-500
①
-400
-400
②
-300
-300
①
③
-200
漏光凭目前
值repres的耳鼻喉科
目前每 IRC UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试的值参数
在S imultaneous LY -operated IRC UIT 。
TA = 25°
-100
④
⑤
⑥
⑦
⑧
-200
漏光凭目前
值repres的耳鼻喉科
目前每 IRC UIT 。
重复FREQUENC
≧
10Hz
在c IRC勒设定的值repres经济需求测试的值参数
在S imultaneous LY -operated IRC UIT 。
TA = 85 ℃
②
③
④
⑥⑤
⑧⑦
100
-100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
3/7
