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SSM6J07FU
东芝三极管
硅P沟道MOS型
SSM6J07FU
电源管理开关
高速开关应用
小型封装
低导通电阻
: R
on
= 450毫欧（最大值） （Ⅴ
GS
=
10
V)
: R
on
= 800毫欧（最大值） （V
GS
=
4
V)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
0.8
1.6
300
150
55~150
单位
V
V
A
mW
°C
°C
JEDEC
―
注意：
JEITA
―
重负载下连续使用（例如应用
东芝
2-2J1D
高温/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
重量： 6.8毫克（典型值）。
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
×
6)
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
6
图1：
25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t,
Cu焊盘： 0.32毫米
2
×
6
6
5
4
5
4
0.4 mm
0.8 mm
KDF
1
2
3
1
2
3
1
2007-11-01
