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SSM6N09FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM6N09FU
高速开关应用
单位：mm
小型封装
低漏源导通电阻。
: R
on
= 0.7
（最大值） （ @V
GS
= 10 V)
: R
on
= 1.2
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
（ Q1 ， Q2常见）
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注1 ）
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
400
800
300
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
―
―
注意：
重负载下连续使用（例如应用
东芝
2-2J1C
高温/电流/电压和在显著变化
重量： 6.8毫克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：总的评价，装上FR4板
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨，铜垫： 0.32毫米
×
6）如图1所示。
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2007-11-01
