TC913A/TC913B
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
总电源电压（V
DD
到V
SS
) ....................... +18V
输入电压...................... （V
DD
+ 0.3V ）到（Ⅴ
SS -
0.3V)
目前进入任何引脚........................................... 10毫安
同时经营......................................... 100
μA
封装功耗（T
A
– 70°C)
塑料DIP ............................................... 730毫瓦
塑料SOIC ............................................ 470毫瓦
工作温度范围
C设备.......................................... 0 ° C至+ 70 ℃，
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC913A和TC913B电气特性
电气特性：
V
S
= ± 5V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
TC913A
符号
V
OS
TCV
OS
参数
输入失调
电压
平均温度。
对COEF网络cient
输入失调
电压
平均输入
偏置电流
平均输入
失调电流
输入电压
噪音
共模
抑制比
共模
电压范围
开环
电压增益
输出电压
摇摆
闭环
带宽
压摆率
电源
抑制比
操作
电源电压
范围
静
电源电流
1:
TC913B
最大
15
0.15
0.15
民
—
—
—
典型值
15
0.1
0.1
最大
30
0.25
0.25
单位
μV
μV/°C
μV/°C
测试条件
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-25°C
≤
T
A
≤
+85°C
（注1 ）
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-25°C
≤
T
A
≤
+85°
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0.1至1赫兹，R
S
≤
100Ω
为0.110赫兹，R
S
≤
100Ω
V
SS
≤
V
CM
≤
V
DD
- 2.2
民
—
—
—
典型值
5
0.05
0.05
I
B
—
—
—
—
—
—
—
110
V
SS
115
V
SS
+ 0.3
—
—
110
±3.5
7.0
—
—
—
—
5
—
0.6
11
116
—
90
3
4
20
1
—
—
—
V
DD -
2
—
V
DD
- 0.9
—
—
—
±8.3
16
0.85
—
—
—
—
—
—
—
100
V
SS
110
V
SS
+ 0.3
—
—
100
±3.5
7.0
—
—
—
—
10
—
0.6
11
110
—
120
4
6
40
1
—
—
—
V
DD -
2
—
V
DD
-0.9
—
—
—
±8.3
16
1.1
pA
nA
nA
pA
nA
μV
P-P
μV
P-P
dB
V
dB
V
兆赫
I
OS
e
N
CMRR
CMVR
A
OL
V
OUT
BW
SR
PSRR
V
S
120
—
1.5
2.5
—
—
—
0.65
120
—
1.5
2.5
—
—
—
—
R
L
= 10 kΩ的，V
OUT
= ±4V
R
L
= 10 kΩ
闭环增益= 1
V / sec
L
= 10 kΩ的，C
L
= 50 pF的
dB
± 3.3V至± 5.5V
V
V
mA
分离电源
单电源
V
S
= ±5V
I
S
记
特点;未经100％测试。
2006年Microchip的科技公司
DS21482C第3页
