IRF7303QPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
30
1.0
5.2
典型值。
0.032
6.8
21
22
7.7
4.0
6.0
520
180
72
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.050
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.4A
0.080
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.4A
1.0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= - 20V
25
I
D
= 2.4A
2.9
NC V
DS
= 24V
7.9
V
GS
= 10V ，参照图6和12
V
DD
= 15V
I
D
= 2.4A
ns
R
G
= 6.0
R
D
= 6.2Ω ，参照图10
nH
pF
D
与无铅烙铁头
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
2.5
展示
A
G
整体反转
20
p-n结二极管。
S
1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.8A ，V
GS
= 0V
47
71
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.4A
56
84
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
I
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤
73A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
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