保护功能
VNS3NV04D-E
3
保护功能
在正常的操作中，输入管脚电连接到所述内部的栅
通过一个低阻抗路径的功率MOSFET 。
然后该装置的行为类似于标准的功率MOSFET ，并可以被用作从一个交换机
DC高达50kHz 。从用户的观点来看，唯一的区别是，一个小的直流电流
I
国际空间站
（典型值100
A）的流入输入引脚以提供内部电路。
该器件集成：
3.1
过电压钳位保护
内部设定为45V ，随着功率MOSFET的雪崩坚固耐用的特点
舞台给这个设备无可比拟的耐用性和能源处理能力。这个功能是
主要是重要的驱动感性负载时。
3.2
线性电流限制器电路
限制了漏极电流I
D
到我
LIM
无论输入引脚的电压。当限流器
是活动的，该设备工作在线性区域，所以功耗可能超过
散热器的能力。两个壳体和结温增加，而如果该相位
持续足够长，结温可以达到过热阈值T
JSH 。
3.3
过热和短路保护
这些是基于感测芯片的温度，并且不依赖于输入
电压。传感元件的功率级区域保证了芯片上的位置
快速，精确检测的结温。温度熔断器发生在
范围为150 190℃ ，典型值是170℃。该设备将自动重启
当芯片温度下降约15 ℃以下，停机的温度。
3.4
状态反馈
在过温故障状态的情况下（T
j
＆ GT ;吨
JSH
） ，则设备会尝试下沉
诊断电流I
gf
通过以指示故障状态的输入引脚。如果从驱动
一个低阻抗源，该电流可能会以警告的控制电路中使用
设备关机。如果驱动器的阻抗足够高，以使输入引脚驱动器是不
能够提供的电流I
gf
，在输入引脚将降至0V 。
这不会然而影响
设备操作：不需要被放在输入引脚的电流能力
司机只是要能提供正常操作的驱动电流I
国际空间站
.
该器件的其他特点是根据人体模型ESD保护
和要被驱动从一个TTL逻辑电路的能力。
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