STW13NK100Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，
TC = 125°C
分钟。
1000
1
10
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ± 20V
(V
GS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.5 A
3
3.75
0.56
4.5
0.70
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
osseq(2).
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
测试条件
分钟。
典型值。
14
6000
455
100
227
45
35
145
45
190
30
100
266
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15V ，我
D
= 6.5 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至800V
V
DD
= 500 V，I
D
= 7A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（见
图16）
V
DD
= 800V ，我
D
= 13A
V
GS
=10V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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