N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
1
10
15V
10V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSP3N90A
如图2传输特性
[A]
I
D
，漏电流
1
10
V
GS
上图：
I
D
，漏电流
[A]
0
10
0
10
150
o
C
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. V = 50 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
10
-1
10
-2
10
-1
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
1
- 55
o
C
10
-1
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
2
5
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1
1
0
2
0
V
GS
= 10 V
1
5
I
DR
，反向漏电流
1
0
0
1
0
V
GS
= 20 V
5
@ N吨：T已
J
= 2
o
C
oe
5
0
0
3
6
9
1
2
1
-1
0
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-2
0
02
.
04
.
06
.
08
.
10
.
12
.
美国东部
2 25
S·P升（E T） s
. 0
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
1000
C = C + C ( C
ds
=短路）
ISS GS GD
C =C +C
OSS DS GD
800
C
国际空间站
600
C =C
RSS GD
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
V
DS
= 180 V
V
DS
= 450 V
V
DS
= 720 V
[ pF的]
10
V
GS
，栅源电压
电容
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
10
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. F = 1 MHz的
5
@注： I = 3.0
D
0
0
5
10
15
20
25
30
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
