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怀特电子设计
V
CC
= +1.8V ± 0.1V
符号
I
CC0
提出条件
WV3HG128M72AER-AD6
先进
DDR2我
CC
规格和条件
534
2,420
403
2,250
单位
mA
经营一家银行主动预充电电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MIN （我
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;
地址总线输入的切换;数据总线输入切换
经营一家银行主动阅读的预充电电流;
I
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MIN （我
CC
), t
RCD
= t
RCD
(I
CC
);
CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入切换;数据图案是
一样的我
DA
D6W
预充电掉电电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其它的控制和地址总线输入是稳定的;数据总线
输入浮动
预充电安静的待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
预充电待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线输入是
开关;数据总线输入切换
主动掉电电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其它的控制和地址
公交车的投入是稳定的;数据总线输入浮动
快速PDN退出刘健（ 12 ） = 0
慢PDN退出刘健（ 12 ） = 1
I
CC1
2,640
2,400
mA
I
CC2P
784
724
mA
I
CC2Q
1,110
1,040
mA
I
CC2N
1,090
1,190
600
1,840
1,130
1,190
570
1,730
mA
mA
mA
mA
I
CC3P
I
CC3N
当前待机电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效的
命令;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入切换
工作突发写入电流;
所有银行开放，连续的突发写入; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入切换;数据
总线输入切换
工作突发读取电流;
所有银行开放，连续的突发读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
=
t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入是
开关;数据模式是相同的，因为我
DA
D6W
连拍自动刷新电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
） ;在每个T刷新命令
RFC
(I
CC
）区间; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效的
命令;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入切换
自刷新电流;
CK和CK \\在0V ; CKE 0.2V ;其它的控制和地址总线输入
是浮动的;数据总线输入浮动
经营银行交织读取电流;
所有银行交错读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ， AL = T
RC
D（我
CC
)-1*t
CK
(I
CC
); t
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
=
t
RC
(I
CC
), t
RRD
= t
RRD
(I
CC
), t
RCD
= 1*t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址
公交车的投入是稳定的过程中取消选择;数据模式是相同的，因为我
DAD6R
;请参阅下页
详细的时序条件
I
DAD6W
3,820
2,900
mA
I
DAD6R
3,590
3,000
mA
I
CC5B
4,150
3,880
mA
I
CC6
99
99
mA
I
CC7
5,900
5,570
mA
注：我
CC
特定网络连接的阳离子是基于
三星
组件。其它DRAM制造商特定网络连接的阳离子可以是不同的。
2005年3月
第1版
6
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