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ADuC836
使用Flash / EE数据存储器
4个字节的Flash / EE数据存储器是CON组fi gured作为
1024页，每四个字节。与其它ADuC836
的外围设备，接口到该存储空间是通过一组
寄存器映射到SFR空间。一组四个数据寄存器
TER值（ EDATA1 - A4）用于保存在每4个字节的数据
页。页面被寻址经由两个寄存器EADRH和
EADRL 。最后， ECON是一个8位的控制寄存器，它可以是
写有九个Flash / EE存储器访问命令之一
触发各种读，写，擦除和验证功能。
在SFR接口闪存的框图/ EE数据
存储器阵列，如图20所示。
ECON - Flash / EE存储器控制SFR
3FFH
3FEH
页面地址
（ EADRH / L）的
1个字节
(0FFCH)
1个字节
(0FF8H)
2字节
(0FFDH)
2字节
(0FF9H)
BYTE 3
(0FFEH)
BYTE 3
(0FFAH)
4个字节
(0FFFH)
4个字节
(0FFBH)
03H
02H
01H
00H
1个字节
(000CH)
1个字节
(0008H)
1个字节
(0004H)
1个字节
(0000H)
EDATA1 SFR
2字节
(000DH)
2字节
(0009H)
2字节
(0005H)
2字节
(0001H)
EDATA2 SFR
BYTE 3
(000EH)
BYTE 3
(000AH)
BYTE 3
(0006H)
BYTE 3
(0002H)
EDATA3 SFR
4个字节
(000FH)
4个字节
(000BH)
4个字节
(0007H)
4个字节
(0003H)
EDATA4 SFR
任的闪速/电擦除数据存储器或Flash / EE存储器编程
程序存储器是通过Flash / EE存储器控制完成
SFR （ ECON ） 。这SFR允许用户读取，写入，擦除或
验证4K字节闪速/电擦除数据存储器或56千字节的
闪速/电擦除程序存储器。
字节
地址
在给出
括号
图20.闪速/电擦除数据存储器控制和CON组fi guration
表十四。 ECON - Flash / EE存储器命令
ECON价值
01H
读
02H
写
命令说明
（正常模式） （上电默认）
结果在Flash / EE数据存储器的四个字节，
由页地址EADRH / L的处理，读取
成EDATA 1至4 。
结果在EDATA1 A4的四个字节被写入到
闪速/电擦除数据存储器，在给出的页面地址
EADRH / L（ 0 EADRH / L < 0400H ）
注：在页面中的四个字节所必须解决
预先擦除。
保留的命令
VERI音响上课如果在EDATA1-4的数据被包含在
通过EADRH / L给定的页面地址。随后读
在ECON的SFR将导致一个0被读取，如果
VERI网络阳离子是有效的，或者正在读一个非零值
表示一个无效的VERI网络阳离子。
结果在Flash / EE中的4个字节页面的擦除
由页地址EADRH / L的处理数据存储器
命令说明
（ ULOAD模式）
未实现。使用MOVC指令。
结果在内部XRAM字节0-255写入
要在256个字节的闪速/电擦除程序存储器
通过EADRH给出的页面地址。 （ 0 EADRH < E0H ）
注：在页面中的256个字节所必须解决
预先擦除。
保留的命令
未实现。使用MOVC和MOVX
说明验证软件的写操作。
03H
04H
VERIFY
05H
擦除页
结果在闪速/电擦除程序的64字节页
存储器，由字节地址EADRH / L的处理
被删除。 EADRL可以等于任何64个位置
内的页面。一个新的页面开始时EADRL
等于00H ， 40H ， 80H ，或C0H 。
结果，在整个56字节ULOAD的擦除
闪速/电擦除程序存储器。
未实现。使用MOVC指令。
06H
清除所有
81H
readbyte
82H
writebyte
0FH
EXULOAD
F0H
ULOAD
结果在整个4千字节的Flash / EE中的擦除
数据存储器。
结果在Flash / EE存储器中的数据字节，
由字节地址EADRH / L的处理，读取
到EDATA1 。 （ 0 EADRH / L 0FFFH ） 。
结果在EDATA1字节被写入到
闪速/电擦除数据存储器，在字节地址EADRH / L 。
叶上的操作说明， ECON
闪速/电擦除数据存储器。
进入ULOAD模式，指导后续的ECON
指令对Flash / EE程序存储器进行操作。
结果在EDATA1字节被写入到
闪速/电擦除程序存储器的字节地址
EADRH / L（ 0 EADRH / L的DFFFH ） 。
进入正常模式，指导后续的ECON
指令到Flash / EE数据存储器进行操作。
叶对Flash / EE操作ECON说明
程序存储器。
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