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2SK4178
封装图（单位：mm ）
1） TO- 251 （ MP-3 -b）的
1.06 TYP 。
6.6±0.2
5.3 TYP 。
4
2.3±0.1
0.5±0.1
2 ） TO- 252 （ MP- 3ZK ）
1.0典型。
6.5±0.2
5.1 TYP 。
4.3 MIN 。
4
2.3±0.1
0.5±0.1
无电镀
1.1±0.13
4.13 TYP 。
1.14最大。
1
0.8
2
3
无电镀
0 0.25
0.5±0.1
1.0
0.76±0.12
2.3 TYP 。
2.3 TYP 。
0.5±0.1
1.14最大。
2.3
2.3
0.76±0.12
1.04典型。
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin （漏）
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
等效电路
漏
门
体
二极管
来源
备注
强电场，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏，并最终
影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电之多
可能，并迅速消散了一次，已经发生时。
0.51 MIN 。
7
1
2
3
数据表D19080EJ1V0DS
6.1±0.2
10.4 MAX 。 （ 9.8 TYP 。 ）
6.1±0.2
11.25 TYP 。
4.0分钟。
