2SJ680
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π型MOS V）的
2SJ680
６．５±０．２
５．２±０．２
１．５±０．２
切换应用程序
斩波稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.6
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
200
V)
增强模型： V
th
=
1.5
~
3.5
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
０．９
单位：mm
0.6 MAX 。
１．６
５．５±０．２
１．１±０．２
４．１±０．２
５．７
0.6最大
２．３
２．３
２．３±０．２
０．６±０．１５
０．６±０．１５
１
２
３
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±20
2.5
10
20
97.5
2.5
2.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
0.8最大。
1.1最大。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J2B
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
重量：0.58克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
五，总胆固醇
=
25 ° C（初始） ，L
= 25.2
mH的，我
AR
= 2.5
A，R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2006-11-17
