UTRON
初步修订版1.0
写周期1
(
WE
控制）
(1,2,3,5)
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
t
WC
地址
t
AW
CE
t
WE
t
AS
CW
t
t
WP
WR
LB ， UB
t
WHZ
t
BW
t
高-Z
OW
DOUT
DIN
写周期2
(
CE
控制）
(1,2,5)
(4)
(4)
t
DW
t
数据有效
DH
t
地址
t
CE
WE
t
AS
AW
WC
t
t
CW
t
WR
WP
LB ， UB
t
DOUT
WHZ
t
BW
高-Z
t
DIN
注意事项：
1.
DW
t
DH
数据有效
WE
或行政长官必须在所有的地址转换为高。
CE的重叠期间发生2.写
＝
低，
WE
ULOW
,
LB
和/或UB
=低..
3.在一
WE
控制的写周期OE低，T
WP
必须大于吨
WHZ
+t
DW
以允许司机关掉
和数据放置在总线上。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果同时发生或之后CE低过渡
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗
状态。
6. t
OW
和T
WHZ
用C指定
L
= 5pF的。过渡测
±500mV
从稳定状态。
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