2SJ563
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-60
R DS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
– m
-10
7
5
3
2
I F - 室间隔缺损
VGS = 0
正向电流I
F
– A
-0.
I D =
=-4V
GS
V
3A,
-1.0
7
5
3
2
-0.1
7
5
3
2
-0.01
7
5
3
2
-0.2
-0.4
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
-0.001
0
-0.6
-0.8
Tc=-2
5
°
C
-1.0
=-10V
A，V GS
.0
I D = -1
75
°
C
25
°
C
-1.2
-1.4
外壳温度，TC - C
1000
7
5
二极管的正向电压， VSD - V
-10
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
VGS - Q克
VDS=-10V
ID = -2A
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
西塞，科斯，的Crss - pF的
3
2
西塞
100
7
5
3
2
科斯
CRSS
10
0
0
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
0
1
2
3
4
5
6
7
漏极至源极电压，V
DS
– V
100
7
总栅极电荷QG - 数控
SW时间 - I D
VDD = -15V
VGS=-10V
漏电流，我
D
– A
A S
2
-10
7
5
我DP = - 8A
I D = - 2A
DC
op
切换时间， SW时间 - NS
5
3
2
TD （关闭）
tf
3
2
-1.0
7
5
3
2
-0.1
7
5
3
2
100s
1m
10
s
ms
10
0m
s
er
at
io
n
10
7
5
3
2
TD （上）
tr
在这一领域
由RDS （ ON）的限制。
1.0
7
-0.1
2
3
5
7
-1.0
2
3
5
7
-0.01
-0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5
7 -1.0
2
3
5
7 -10
2
3
5
漏电流，我
D
– A
1.6
漏极至源极电压，V
DS
– V
4.0
P（D） - TA
M
允许功耗，P
D
– W
P（D） - 锝
允许功耗，P
D
– W
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
ou
3.5
3.0
nt
ed
on
ac
er
am
ic
bo
ar
d
2.0
(2
50
m
m
2
×
0
.8
m
m
1.0
)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
外壳温度，TC - C
No.6097–3/4
