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2SD965/A
典型特征
静态特性
3.0
I
B
=3.0mA
I
B
=2.5mA
I
B
=2.0mA
2.0
1.5
I
B
=1.5mA
I
B
=1.0mA
I
B
=0.5mA
1.0
0
10
3
NPN硅晶体管
直流电流增益
集电极电流，I
C
(A)
直流电流增益，H
FE
2.5
10
2
V
CE
=2V
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
10
-1
0
10
1
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压（ V）
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极电压上
6 V =2V
CE
集电极电流，I
C
(A)
饱和电压
10
饱和电压（MV ）
4
25℃
Ta=75℃
-25℃
I
C
=30·I
B
5
4
3
2
1
0
0
0.4
10
3
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
10
2
0.8
1.2
1.6
2.0
10
1 0
10
基地发射极电压，V
BE
(V)
10
3
集电极电流，I
C
（MA ）
10
1
10
2
10
4
电流增益带宽积
电流增益带宽积，
f
T
（兆赫）
集电极输出电容
10
3
10
3
V
CE
=6V
10
2
电容C
ob
（PF ）
f=1MHz
I
E
=0
10
2
10
1
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压（ V）
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3 4
QW-R209-007,B
