PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 80伏V
首席执行官
100在I *增益
C
= 350毫安
* P
合计
= 1瓦
2N6732
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-100
-80
-5
-2
-1
1
-55到+200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
分钟。
-100
-80
-5
-0.1
-10
-0.35
-1.0
100
100
50
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
A
A
条件。
I
C
=-100
A，I
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0*
I
E
= -1mA ，我
C
=0
V
CB
= -80V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
I
C
= -350mA ，我
B
=-35mA*
IC = -350mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -350mA ，V
CE
=-2V*
发射极截止电流I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
V
静态正向电流
FE
传输比
过渡
频率
集电极 - 基
电容
f
T
C
CB
300
500
20
兆赫
pF
I
C
= -200mA ，V
CE
=-5V
f=20MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
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