ON Semiconductort
NPN
达林顿互补
硅功率晶体管
。 。 。设计用于一般用途的放大器和低频
开关应用。
2N6283
2N6284
PNP
高直流电流增益@我
C
= 10位ADC
2N6286
2N6287
达林顿
20安培
补充
硅
功率晶体管
100伏
160瓦
h
FE
= 2400 （典型值）
2N6284
= 4000 （典型值）
2N6287
集电极 - 发射极耐受电压
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值）
单片式结构，具有内置基射极分流电阻
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
Symbo
l
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
PD ，功耗（瓦）
等级
*最大额定值
2N6283
2N6286
80
80
2N6284
2N6287
100
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
5.0
20
40
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
0.5
案例1-07
TO204AA
(TO3)
器件总功耗@ T
C
=
25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
160
0.915
瓦
W / ℃，
_C
T
J
,T
英镑
65
到+ 200
*热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
*表示JEDEC注册的数据。
1.09
° C / W
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
75
150
50
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
1
175
200
图1.功率降额
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
出版订单号：
2N6284/D
