2N3771, 2N3772
200
PD ，功耗（瓦）
175
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
175
200
图1.功率降额
R（T ），有效瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
（ PK）
q
JC
（吨） = R （t）的
q
JC
q
JC
= 0.875 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t
1
读取时间AT＆T
1
t
2
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
吨，时间（ ms）的
20
50
100
200
500
1000
2000
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
图2.热响应 - 2N3771 ， 2N3772
40
IC ，集电极电流（ AMP ）
30
20
2N3772 ， （直流）
dc
2N3771
40
ms
100
ms
200
ms
T
C
= 25°C
1.0毫秒
键合丝有限公司
7.0
限热
5.0
（单脉冲）
100毫秒
二次击穿有限公司
曲线适用于低于额定V
首席执行官
3.0脉冲曲线适用
500毫秒
2N3771
对于所有器件
2N3772
2.0
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
10
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作：即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图3是根据JEDEC的注册数据。第二
细数限额的有效期为占空比为10 ％
假定T
J（下PK）
< 200_C 。牛逼
J（下PK）
可以从所计算的
图2.使用图2中的数据的数据和脉冲功率
图3中，T的范围
J（下PK）
将被认为是小于T
J（下最大）
为1毫秒和更少的脉冲宽度。当使用ON
半导体的晶体管，这是允许的，以增加
脉冲电源的限制，直到限制T
J（下最大）
.
图3.有源区安全工作区
— 2N3771, 2N3772
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