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28C16A
2.0
设备操作
2.4
写模式
Microchip Technology Inc.的28C16A有四个基本
操作-读，待机模式下，写抑制，并
字节写为下表中列出。
手术
模式
读
待机
写禁止
写禁止
写禁止
字节写
字节清除
CE
L
H
H
X
X
L
OE
L
X
X
L
X
H
WE
H
X
X
X
H
L
I / O
D
OUT
高Z
高Z
高Z
高Z
D
IN
该28C16A具有类似于一个静态的写入周期
内存。写周期是完全自定时ini-
由低向脉冲的WE引脚tiated 。在下降沿继续
荷兰国际集团WE的边缘，地址信息被锁存。上
上升沿，数据和控制引脚（ CE及OE）的
被锁存。
2.5
数据轮询
自动在每一个“写”
该28C16A功能数据轮询信号的完井
化的字节写周期。在写周期期间，一个
未遂读取的最后一个字节写入结果的
I / O7数据补（ I / O0到I / O6是indetermin-
能） 。在写入周期结束后，真正的数据是
可用。数据轮询允许一个简单的读/比较
操作，以确定芯片的消除状态
需要外部硬件。
X =任何TTL电平。
2.6
2.1
读取模式
电子签名的设备
鉴定
该28C16A有两个控制功能，这两者
必须在逻辑SATIS音响编，以便获得在所述数据
输出。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，用于栅极的数据到
输出引脚独立的设备选择。假设
该地址是稳定的，地址存取时间（t
ACC ）
等于从CE中的延迟输出（叔
CE
） 。数据
可在输出吨
OE
OE的下降沿之后，
假设CE一直保持在低水平，并有地址
一直保持稳定至少吨
加
-t
OE
.
32字节EEPROM存储器的一个额外的行是可用
能够为设备identi音响阳离子用户。通过提高A9
至12V
±0.5V
使用地址位置7EO到7FF ，
中的附加字节可以被写入或从在读
相同的方式作为常规存储器阵列。
2.7
芯片清除
所有数据都可以通过清除1在一个芯片明确的周期
OE提高到12伏，使WE和CE
低。此过程将清除所有数据，除了额外
行。
2.2
待机模式
该28C16A被置于待机模式通过施加
一个高电平信号到CE输入。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE输入。
2.3
数据保护
为了保证数据的完整性，特别是在criti-
校准电和掉电转换，下面
增强的数据保护电路结合：
首先，将内部V
CC
检测（ 3.3伏典型值）会抑制
非易失性编程操作开始
当V
CC
小于V
CC
检测电路跳闸。
第二，存在阻止WE一个WE音响滤波电路
小于10纳秒的持续时间的脉冲，从发起一个写
周期。
三，持有WE或CE高或OE低，抑制了写
上电和断电时的周期（V
CC
).
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2004年Microchip的科技公司
