FDW2502P
2003年12月
FDW2502P
双P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定MOSFET是一种坚固
的门版本飞兆半导体安森美半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压（ 2.5V -12V ） 。
特点
-4.4 A， -20 V.
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 57毫欧@ V
GS
= –2.5 V.
扩展V
GSS
范围（ ± 12V ）电池应用。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
低调TSSOP - 8封装。
应用
负荷开关
电机驱动
直流/直流转换
电源管理
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
销1
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–20
±12
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–4.4
–30
1.0
0.6
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
125
208
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2502P
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDW2502P
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
FDW2502P修订版F（ W）
