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8兆位的SPI串行闪存
SST25VF080B
数据表
表10 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
OUT1
C
IN1
描述
输出引脚电容
输入电容
测试条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T10.0 1296
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：可靠性特性
符号
N
结束
T
DR
1
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T11.0 1296
I
LTH1
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表12 ：交流工作特性
25 MHZ
符号
F
CLK3
T
SCKH
T
SCKL
T
SCKR
T
sckf
T
CES5
T
CEH5
T
CHS5
T
CHH5
T
CPH
T
CHZ
T
CLZ
T
DS
T
DH
T
HLS
T
HHS
T
HLH
T
HHH
T
HZ
T
LZ
T
OH
T
V
T
SE
T
BE
T
SCE
T
BP
1.
2.
3.
4.
5.
4
50兆赫
民
9
9
0.1
0.1
5
5
5
5
50
15
8
0
2
5
5
5
5
5
20
15
8
8
0
15
25
25
50
10
8
25
25
50
10
最大
50
25
66兆赫
1,2
民
7
7
0.1
0.1
4
4
4
4
100
6
0
2
3
4
4
4
4
8
8
0
6
25
25
50
10
最大
66
单位
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
s
T12.0 1296
参数
串行时钟频率
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
串行时钟上升时间（转换率）
串行时钟下降时间（转换率）
CE＃智能安装时间
CE＃有效保持时间
CE＃不主动设置时间
CE＃不主动保持时间
CE＃高电平时间
CE＃高到高阻输出
SCK低到低Z输出
数据建立时间
数据保持时间
HOLD ＃低建立时间
HOLD ＃高建立时间
HOLD ＃低保持时间
HOLD ＃高保持时间
HOLD ＃低到输出高阻态
HOLD ＃高至低阻抗输出
从SCK变化输出保持
输出有效期从SCK
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
字节编程
民
18
18
0.1
0.1
10
10
10
10
100
0
5
5
10
10
10
10
最大
0
V
DD
= 3.0 - 3.6 V ， CL = 15 pF的
其特点，但不完全测试
最大时钟频率读取指令， 03H ，为25兆赫
最大上升和下降时间可被T的限制
SCKH
和T
SCKL
需求
相对于SCK 。
S71296-02-000
06/07
2007硅存储技术公司
22
