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8兆位的SPI串行闪存
SST25VF080B
数据表
芯片擦除
芯片擦除指令清除设备中的所有位
FFH 。芯片擦除指令将被忽略（如果有）的
存储器区域被保护。之前的任何写操作，则
写使能（ WREN）指令必须执行。 CE＃
必须保持有效低电平的片擦除的持续时间
指令序列。芯片擦除指令启动
通过执行8位命令60H或C7H 。 CE＃必须
驱动为高电平指令执行前。可在用户
轮询软件状态的忙位寄存器或等待牛逼
CE
为完成内部自定时芯片擦除的
周期。参见图14为芯片擦除序列。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
模式0
SI
最高位
60或C7
高阻抗
1296 ChEr.0
SO
图14 ：C
HIP
-E
RASE
S
EQUENCE
读状态寄存器（ RDSR ）
在读状态寄存器（ RDSR ）指令允许读
荷兰国际集团将状态寄存器。状态寄存器可以读出
即使是在写（编程/擦除）操作的任何时间。
当一个写操作正在进行，忙位可能
发送任何新的命令，以确保前检查
新的命令由设备正确地接收。
CE＃必须驱动为低电平之前RDSR指令
进入并保持低电平直到状态数据被读取。读
状态寄存器是连续的，持续的时钟周期
直到它被一个低终止的CE＃高转变。
参见图15 RDSR指令序列。
CE＃
模式3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
SCK
SI
SO
模式0
05
最高位
高阻抗
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
状态
登记手续
1296 RDSRseq.0
图15 ：v
EAD
-S
TATUS
-R
EGISTER
（ RDSR ）S
EQUENCE
2006硅存储技术公司
S71296-01-000
1/06
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