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4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
写状态寄存器（ WRSR ）
在写状态寄存器指令将新值
状态寄存器的BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0和BPL位
之三。 CE＃必须在命令前驱动为低电平
WRSR指令序列输入和驱动
WRSR指令之前，高执行。见图
19 EWSR或WREN和WRSR指令序列。
在执行写状态寄存器指令将
忽略当WP＃为低电平和BPL位被设置为“1”。当
该WP＃为低电平， BPL位只能设置从“0”到“1”到
锁定向下状态寄存器，但不能从“1”复位
为“0” 。当WP＃为高，中的锁定功能
BPL位被禁用， BPL ， BP0和BP1和BP2
在状态寄存器中的位都可以被改变。只要
BPL位被设置为0或WP＃引脚被驱动为高（Ⅴ
IH
）前
低到高的CE＃管脚处的末端过渡
WRSR指令，状态寄存器中的位都可以
通过WRSR指令改变。在这种情况下，一个单一的
WRSR指令可以设置BPL位为“ 1 ”来锁定
状态寄存器以及改变BP0 ， BP1和
BP2位在同一时间。请参阅表2总结
的WP ＃和BPL功能的描述。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
模式3
模式0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
SCK
模式0
SI
最高位
SO
50或06
最高位
01
高阻抗
状态
在注册
7 6 5 4 3 2 1 0
最高位
1295 EWSR.0
图19 ：启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）或
写使能（ WREN）和写状态寄存器（ WRSR ）序列
2007硅存储技术公司
S71295-02-000
7/07
19
