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4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
电气规格
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0V到V
DD
+2.0V
包装功率耗散能力（T
A
= 25 ℃）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
表面贴装回流焊温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ 10秒
输出短路电流
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
1.输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
2.7-3.6V
2.7-3.6V
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
L
= 30 pF的
参见图25和26
表8 ： DC
操作摄像机
C
极特
范围
符号
I
DDR
I
DDR2
I
DDW
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OL2
V
OH
参数
读电流
读电流
编程和擦除电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7 V
DD
0.2
0.4
民
最大
10
15
30
20
1
1
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
测试条件
CE＃ = 0.1 V
DD
/0.9 V
DD
@ 25兆赫， SO =开
CE＃ = 0.1 V
DD
/0.9 V
DD
@ 50兆赫， SO =开
CE＃ = V
DD
CE＃ = V
DD
, V
IN
=V
DD
或V
SS
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OL
= 1.6毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T8.0 1295
表9 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
V
DD
闵到读操作
V
DD
闵写操作
最低
10
10
单位
s
s
T9.0 1295
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2006硅存储技术公司
S71295-01-000
1/06
21
