512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
开始
删除*
OE ＃ / VPP = VPPH
ADDRESS =第一个位置
节目20μs的脉冲
（ CE ＃ = VIL ）
增量地址
No
最后一个地址？
是的
OE ＃ / VPP = VDD和VSS
等待OE ＃ / VPP
RecoveryTime
阅读设备
（ CE ＃ = OE ＃ = VIL ）
比较所有字节
到原始数据
是的
No
设备传递
设备失败
1152 F09b.2
*请参阅图11
图13 ： B
YTE
-P
ROGRAM
A
LGORITHM FOR
SST27SF512
2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
16
