位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1040页 > SST31LF041A-70-4E-WH > SST31LF041A-70-4E-WH PDF资料 > SST31LF041A-70-4E-WH PDF资料2第2页
4兆位闪存+ 1兆位的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A
初步规格
SST31LF041 / 041A在本质上使用更少的能源
比其他闪存技术，擦除和编程。
当编程闪存设备，在总能源
SUMED是所施加电压的函数，电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内，则
SuperFlash技术的编程电流小，
具有擦除时间更短，总的能量消耗能很好地协同
荷兰国际集团的任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。单片ComboMemory消除
使用两个单独的MEM时止数据冗余的功能
类似架构的法制前提;因此，降低了总
功耗。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
该SST31LF041 / 041A器件还通过提高灵活性
使用单个包和一组共同的信号，以
以前需要两个独立履行职责
设备。为了满足高密度，表面贴装的要求，
该SST31LF041器件采用40引脚TSOP封装
年龄和SST31LF041A器件提供32引脚
TSOP封装。参见图1和图2的引脚。
SRAM操作
与BES ＃低， BEF ＃高， SST31LF041 / 041A
作为一个128K ×8 CMOS SRAM具有完全静态操作
化，无需外部时钟或定时选通。该
SRAM被映射到的第一128 K字节的地址空间
该设备为041 / 041A 。读取和写入周期时间
平等的。
SRAM读
该SST31LF041 / 041A的SRAM读操作是
通过OE ＃和＃ BES控制，既要低，
WE＃高，为系统获得的输出数据。
BES ＃用于SRAM银行的选择。当BES ＃和
BEF ＃高，两个内存银行都取消。 OE ＃
是输出控制，并从输出用于栅数据
把引脚。数据总线是在高阻抗状态
OE ＃为高电平。参见图3为读周期时序dia-
克。
SRAM写
该SST31LF041的SRAM写操作/ 041A是
由WE ＃和＃ BES控制;既要低的
系统写入到SRAM中。 BES ＃用于SRAM的
银行的选择。在字节写操作，
地址和数据被引用到的上升沿
无论是BES ＃或WE ＃ ，以先到为准。写入时间
从最后一个下降沿到第一个上升沿测量
的BES ＃和WE ＃ 。 OE ＃可以是V
IL
或V
IH
外，无其它
值， SRAM写操作。参见图4为
SRAM写周期的时序图。
设备操作
该ComboMemory使用BES ＃和BEF ＃控制能操作
ATION无论是SRAM或闪存银行。公共汽车
竞争被淘汰的单片器件不会
认识到这两个银行能够为同时被
活跃的。如果两个银行使断言（即BEF ＃和
BES ＃均为低电平）时， BEF ＃将占主导地位，而
BES ＃被忽略，相应的操作将是exe-
cuted在闪速存储器区块。 SST不推荐
这两个银行能够同时有效。所有
其他地址，数据和控制线是共用的哪
最小化功耗和面积。该设备进入
进入待机状态时，这两个银行能提高到V
IHC
.
表3列出了SRAM的工作模式选择。
对于SST31LF041A只：
BES ＃和OE ＃分享引脚32 。
在SRAM运行，销32将作为BES ＃ 。能很好地协同
荷兰国际集团闪光灯操作，引脚32将作为OE ＃ 。当销32
（ OE ＃ / BES ＃ ）为高电平时，数据总线处于高阻抗状态。
闪光操作
随着BEF ＃活动的， SST31LF041 / 041A作为一个
512K ×8闪存。闪速存储器区块被读
使用公共地址线，数据线， WE＃和
OE ＃ 。擦除和编程操作都与启动
JEDEC标准的SDP命令序列。地址
数据在SDP命令，并在内部被锁定
定时擦除和编程操作。请参阅表3闪光
操作模式的选择。
2003硅存储技术公司
S71107-05-000
12/03
2
