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4兆位闪存+ 1兆位的SRAM ComboMemory
SST31LF041 / SST31LF041A
初步规格
表5 ： DC
操作摄像机
C
极特
(V
DD
= 3.0-3.6V)
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
读
FL灰
SRAM
并发操作
写
闪存（程序）
SRAM
I
SB1
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
V
H
I
H
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
超高压对于A
9
针
超高压电流，以
9
针
V
DD
-0.2
11.4
12.6
200
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
15
40
30
1
1
0.4
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
V
A
12
40
55
mA
mA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 1 / T的
RC
敏
V
DD
=V
DD
马克斯，所有的DQ打开
OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
OE ＃ = V
IH
， WE＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IL
， BES ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES ＃ = V
IL
BEF ＃ = BES ＃ = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
BEF ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH ，
A
9
=V
H
最大
T5.15 1107
1.规格仅适用于商业级温度的设备。此参数可以延长设备的高。
表6 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T6.2 1107
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表7 ：C
APACITANCE
参数
C
I/O1
C
IN1
（ TA = 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T7.2 1107
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH
1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T8.4 1107
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2003硅存储技术公司
S71107-05-000
12/03
10
