2兆位闪存+ 1兆位的SRAM ComboMemory
SST31LF021 / SST31LF021E
SST31LF021 / 021E2Mb闪光的（x8） + 1Mb的SRAM （ X8 ）单片ComboMemory
EOL数据表
产品特点：
单片闪存+ SRAM ComboMemory
- SST31LF021 / 021E ： 256K闪存X8 + X8 128K SRAM
单3.0-3.6V读写操作
并发操作
- 读取或写入SRAM时
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流10 mA（典型值）， Flash和
20毫安（典型值）的SRAM读
- 待机电流： 10 μA （典型值）
闪存扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
锁存地址和数据的闪存
快速读取访问时间：
- SST31LF021
快讯： 70纳秒
SRAM ： 70纳秒
- SST31LF021E
闪光灯： 300纳秒
SRAM ： 300纳秒
闪存快速擦除和字节编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 银行擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 银行重写时间：4秒（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 32引脚TSOP （采用8mm x 14毫米）
产品说明
该SST31LF021 / 021E设备是256K ×8的CMOS
结合一个128K ×8或32K ×8的闪存银行
CMOS SRAM存储器组制造与SST的亲
专有的，高性能的超快闪技术。两
引出线的标准可用于这些设备。该
SST31LF021符合JEDEC标准引脚闪存
和SST31LF021E符合标准的EPROM
引脚排列。该SST31LF021 / 021E设备写（ SRAM或
闪光）与3.0-3.6V电源。单片
SST31LF021 / 021E设备符合软件数据亲
TECT （ SDP）的命令X8的EEPROM 。
拥有高性能的字节编程，该闪存存储器
ORY银行提供了20的最大字节编程时间
微秒。整个闪存银行可擦除和
当编程的逐字节中通常为4秒
使用界面功能，如翻转位或数据＃查询
指示完成程序操作。为了保护
防止意外闪存写入时， SST31LF021 / 021E
器件具有片上硬件和软件数据保护
化方案。设计，制造和测试了一
应用宽光谱， SST31LF021 / 021E
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST31LF021 / 021E作为两个独立的MEM
ORY银行与各银行的使能信号。该SRAM
和闪存存储器区块被叠加在相同的
2007硅存储技术公司
S71137-06-EOL
05/07
1
存储器地址空间。两个内存银行股的COM
周一地址线，数据线， WE＃和OE ＃ 。内存
银行的选择是由存储体进行使能信号。
SRAM的银行能信号， BES ＃选择的SRAM
银行和闪存银行的使能信号， BEF ＃
选择闪存存储器区块。 WE＃信号必须
与软件数据保护（ SDP ）命令中使用
顺序控制擦除和编程操作时，
系统蒸发散在闪速存储器区块。在SDP命令
序列可保护存储在快闪存储器中的数据
意外改变银行。
该SST31LF021 / 021E提供的附加功能
能够同时读取或写入到
SRAM存储器而在快闪擦除或编程
记忆库。 SRAM的存储器区块可以被读取或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除或字节编程兼任。所有的闪光灯
内存擦除和编程操作将自动
锁存器的输入地址和数据信号，并完成
运行在后台，无需进一步的输入激励
要求。一旦内部控制擦除或亲
克周期闪光灯银行已经开始，该SRAM
银行可访问的读取或写入。
该SST31LF021 / 021E装置适合于各种应用
两者都使用的非易失性闪存和SRAM波动
存储器，用于存储代码或数据。对于所有系统应用，
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
ComboMemory是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
