多用途闪存（ MPF） + SRAM ComboMemory
SST32HF201 / SST32HF202 / SST32HF401 / SST32HF402
初步规格
操作包括三个步骤。第一步是在三
软件数据保护字节装入序列。该节
OND一步是装入字地址和文字数据。在
字编程操作时，地址锁存的
掉落的任何BEF ＃或WE ＃边沿，以先到为准最后。
该数据被锁存，或者BEF ＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或＃ BEF ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将完成，在20
微秒。参见图6和图7为WE ＃和BEF ＃控制的亲
克操作时序图，图17为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效闪光
读操作是数据＃查询和翻转位。中
内部编程操作，主机可以自由地执行
其他任务。在加载任何SDP命令
内部编程操作将被忽略。
通过执行六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图9为时序图，
和图20的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST32HF20x / 40X提供了两种软件方法来
检测完成后写（编程或擦除）周期，
为了优化系统写周期时间。该软
洁具的检测包括两个状态位：数据＃查询
（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。写操作结束检测
模式之后的WE ＃的上升沿，这ini-启用
tiates内部编程或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6.
为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
Flash扇区/块擦除操作
闪存扇区/块擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST32HF20x / 40X报价既具有部门
擦除和块擦除模式。部门架构
基于对2K字均匀扇区大小。块擦除
模式是基于32K字的均一的块大小。该
通过执行一个6字节的启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列（ 30H ）
和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。地址
线A
16
-A
11
为SST32HF201 / 202和A
17
-A
11
为
SST32HF401 / 402 ，用于确定该扇区
地址。由execut-发起的块擦除操作
荷兰国际集团与块擦除的COM一个6字节的命令序列
命令（ 50H ）和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。
地址线A
16
-A
15
为SST32HF201 / 202和A
17
-
A
15
为SST32HF401 / 402 ，用于确定该块
地址。扇区或块地址被锁存在下降沿继续
荷兰国际集团的6个WE＃脉冲的边缘，而命令（ 30H
或50H ）被锁存的6个WE＃上升沿
脉搏。内部擦除操作开始后第六
WE＃脉冲。期终止擦除操作，可以决定
通过数据＃查询或翻转位的方法开采。
对于时序波形见图11和12 。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。
闪存数据＃投票（ DQ
7
)
当SST32HF20x / 40X闪存银行在
内部编程操作，任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后， DQ
7
会产生真正的
数据。请注意，即使DQ
7
可有有效数据
立即完成内部写以下
操作时，剩余的数据输出仍然可能是无效的：
整个数据总线上的有效数据将出现在后续的
连续读周期， 1微秒的时间间隔后。中
内部擦除操作，任何尝试读取DQ
7
将亲
达斯一个'0'。一旦内部擦除操作完成时，
DQ
7
将产生一个'1'。该数据＃查询后有效
上涨的4个WE ＃边沿（或BEF ＃ ）脉冲计划
操作。对于扇区擦除或块擦除，数据＃查询
后6个WE＃ （或BEF ＃ ）脉冲的上升沿有效。
参见图8为数据＃查询时序图和图
18为一个流程图。
FLASH芯片擦除操作
该SST32HF20x / 40X提供了全片擦除操作，
这允许用户将擦除整个存储器阵列，以
的“1”状态。此，当整个装置必须是有用
快速擦除。
2001硅存储技术公司
S71209-00-000 9/01
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