32兆位并行的SuperFlash + 4/8 Mbit的PSRAM ComboMemory
SST34HF3244 / SST34HF3282 / SST34HF3284
数据表
表16 ： Flash读周期时序参数V
DD
= 2.7-3.3V
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
T
RP1
T
RHR1
T
RY1,2
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
BEF ＃低到有源输出
OE ＃低到有源输出
BEF ＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
RST ＃脉冲宽度
之前RST ＃高读取
RST ＃引脚低电平阅读
0
500
50
20
0
0
16
16
民
70
70
70
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
T16.0 1335
1.该参数仅在初步认证，并在设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.此参数适用于扇区擦除，块擦除和编程操作。此参数不适用于全片擦除。
表17 ：编程/擦除周期时序参数
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH
T
ES
T
BY1,2
T
BR1
T
SE
T
BE
T
SCE
1
参数
节目时间
地址建立时间
地址保持时间
WE ＃和BEF ＃设置时间
WE ＃和BEF ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
BEF ＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
BEF ＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
擦除暂停延时
RY / BY ＃延迟时间
公交车恢复时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
民
0
40
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
最大
10
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
IDA1
150
10
90
1
25
25
50
ns
s
ns
s
ms
ms
ms
T17.1 1335
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.此参数适用于扇区擦除，块擦除和编程操作。
此参数不适用于全片擦除操作。
2006硅存储技术公司
S71335-00-000
8/06
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