16百万位元双组闪存+ 2/4兆位的SRAM ComboMemory
SST34HF162C / SST34HF164C
初步规格
T
WCS
地址
A
MSS
3
-0
T
WPS
WE＃
T
BWS
BES ＃
T
AWS
T
ASTS
瑞银＃ ，LBS ＃
T
DSS
DQ
15-8,
DQ
7-0
注2
T
WRS
T
BYWS
T
美国国土安全部
注2
1269 F05.1
有效的数据在
注意：
1.如果OE ＃为高电平期间写周期，输出将保持在高阻抗。
2.由于
IN
信号可以是在此时的输出状态，相反极性的输入信号不能被应用。
3. A
MSS
=最重要的SRAM地址
A
MSS
= A
16
对于SST34HF162C和A
17
对于SST34HF164C
图5： SRAM W
RITE
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
（ UBS ＃ ，LBS ·C
ONTROLLED
)
1
T
RC
地址
19-0
T
CE
BEF ＃
T
OE
OE ＃
V
IH
WE＃
T
CLZ
T
OH
数据有效
T
OLZ
T
AA
T
OHZ
T
CHZ
高-Z
数据有效
1269 F06.0
DQ
15-0
高-Z
图6 ：F
LASH
R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
2004硅存储技术公司
S71269-01-000
9/04
14
