32兆位并行的SuperFlash
SST36VF3203 / SST36VF3204
数据表
表11 ： DC
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7-3.6V
范围
符号
I
DD1
参数
积极V
DD
当前
读
编程和擦除
并行读/写
I
SB
I
ALP
待机V
DD
当前
自动低功耗V
DD
当前
5兆赫
1兆赫
5兆赫
1兆赫
15
4
30
45
35
20
20
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
CE＃ = V
白细胞介素，
WE＃ = OE ＃ = V
IH
CE＃ = WE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE ＃ ， RST ＃ = V
DD
±0.3V
CE＃ = 0.1V ，V
DD
=V
DD
最大
WE＃ = V
DD
-0.1V
地址输入= 0.1V或V
DD
-0.1V
RST ＃ = GND
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
WP ＃ = GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
RST ＃ = GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T11.1 1270
频率
民
最大
单位
测试条件
I
RT
I
LI
I
LIW
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
复位V
DD
当前
输入漏电流
输入漏电流
在WP ＃引脚和RST ＃引脚
输出漏电流
输入低电压
输入低电压（ CMOS ）
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7 V
DD
V
DD
-0.3
20
1
10
1
0.8
0.3
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
0.2
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
1.地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
V
DD
=V
DD
最大（参见图17）
表12 ：v
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU- WRITE
1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T12.0 1270
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表13 ：C
APACITANCE （T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
10 pF的
10 pF的
T13.0 1270
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表14 ，R
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T14.0 1270
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2005硅存储技术公司
S71270-03-000
7/06
17
