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16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
数据表
产品订购信息
SST
36
XX
VF 1601E - 70
XX XXXXX - XXX
-
-
4C
XX
- B3K
- XXX
E
X
环境属性
E
1
=无铅
包修改
K = 48球或线索
套餐类型
B3 = TFBGA封装（ 6× 8毫米）
E = TSOP （类型1 ，死了，12毫米X 20毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
70 = 70纳秒
银行拆分
1 = 12兆位+ 4兆位
2 = 4兆位+ 12兆位
器件密度
160 = 1兆位X16或
2兆位X8
电压
V = 2.7-3.6V
产品系列
36 =并行的SuperFlash
1.环境后缀“E ”代表无铅锡焊。
SST无铅锡焊器件均“符合RoHS ” 。
有效组合SST36VF1601E
SST36VF1601E-70-4C-B3KE
SST36VF1601E-70-4I-B3KE
SST36VF1601E-70-4C-EKE
SST36VF1601E-70-4I-EKE
有效组合SST36VF1602E
SST36VF1602E-70-4C-B3KE
SST36VF1602E-70-4I-B3KE
SST36VF1602E-70-4C-EKE
SST36VF1602E-70-4I-EKE
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2005硅存储技术公司
S71274-03-000
11/05
32
