位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第776页 > SST36VF1601E-70-4C-B3KE > SST36VF1601E-70-4C-B3KE PDF资料 > SST36VF1601E-70-4C-B3KE PDF资料1第12页
16兆位并行的SuperFlash
SST36VF1601E / SST36VF1602E
数据表
表3 ：P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
19
-A
0
名字
地址输入
功能
提供的内存地址。在扇区擦除和硬件扇区保护，
A
19
-A
11
地址线用于选择扇区。在块擦除
19
-A
15
地址
行会选择块。
要在读周期输出数据和接收过程中写周期的输入数据
数据在一个写周期内锁定。输出处于三态时，
OE ＃或CE ＃为高电平。
DQ
15
作为数据I / O引脚，当在x16模式（ BYTE ＃ = “ 1 ” ）
A
-1
用作LSB地址销时在x8模式（BYTE ＃ =“0” ）
要激活设备时， CE＃为低。
到栅极上的数据输出缓冲器
要控制写操作
要重置并返回该设备阅读模式
一个编程或擦除操作的输出状态
RY / BY ＃是一个漏极开路输出，所以10K - 100K上拉电阻是必需的
允许RY / BY ＃变为高电平，表示该设备已准备好读。
为了保护和取消保护顶部或底部8K字（ 4最外层的部门）的擦除或
程序操作。
提供2.73.6V的电源电压
未连接引脚
T3.0 1274
DQ
14
-DQ
0
数据输入/输出
DQ
15
/A
-1
CE＃
OE ＃
WE＃
RST ＃
RY / BY ＃
数据输入/输出
和LBS地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
硬件复位
就绪/忙＃
WP ＃
BYTE ＃
V
DD
V
SS
NC
写保护
字/字节配置要选择8位或16位模式。
电源
地
无连接
表4 ：o
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
选举
DQ
15
-DQ
8
模式
1
读
节目
抹去
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
WE＃
V
IH
V
IL
V
IL
DQ
7
-DQ
0
D
OUT
D
IN
X
2
BYTE ＃ = V
IH
D
OUT
D
IN
X
BYTE ＃ = V
IL
DQ
14
-DQ
8
=高阻
DQ
15
= A
-1
高Z
地址
A
IN
A
IN
扇区或块
地址
555H芯片擦
X
X
X
待机
写禁止
产品
鉴定
软件
模式
V
IHC
X
X
X
V
IL
X
X
X
V
IH
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
高Z
高Z / D
OUT
高Z / D
OUT
高Z
高Z
高Z
V
IL
V
IL
V
IH
制造商ID
（ BFH ）
器件ID
3
制造商ID
(00H)
器件ID
3
高Z
高Z
见表5
T4.2 1274
1. RST ＃ = V
IH
所有描述的操作模式
2. X可以是V
IL
或V
IH
，但没有其他价值。
3.设备ID =
SST36VF1601E = 734BH ，
SST36VF1602E = 734AH
2005硅存储技术公司
S71274-03-000
11/05
12
