512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
表5 ：编程/擦除直流工作特性V
DD
=2.7-3.6V
(T
A
= 25°C±5°C)
范围
符号参数
I
DD
I
LI
I
LO
V
H
I
HA9
I
HOE ＃
V
DD
擦除或编程电流
输入漏电流
输出漏电流
超高压对于A
9
和OE ＃
超高压电流，以
9
超高压电流为OE ＃
11.4
民
最大
20
1
10
12
200
3
单位
mA
A
A
V
A
mA
OE ＃ = V
H
马克斯，A
9
=V
H
最大，
V
DD
=V
DD
马克斯，CE ＃ = V
IL
CE＃ = V
白细胞介素，
OE#=11.4-12V,
V
DD
=V
DD
马克斯， WE＃ = V
IL
T5.2 1151
测试条件
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
H
, V
DD
=V
DD
马克斯， WE＃ = V
IL
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
表6 ：建议的系统上电时序
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T6.1 1151
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表7 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T7.0 1151
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 ：可靠性特性
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T8.3 1151
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2006硅存储技术公司
S71151-07-000
8/06
6
