tm
TE
CH
T15M256B
SRAM
特点
高速存取时间：五十分之四十五/ 70/ 85/ 100纳秒
低电源电流：
- 操作： 37毫安（最大值）
- 待机：为10uA
电源： 5V （ ± 10 ％ ）
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
常见的I / O能力
数据保持电压： 1.5V （最小值）
可用的软件包：
28引脚DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP /无铅TSOP -I
（ 8x13.4mm正激式和反式） 。
工作温度：
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M256B是一款低功耗CMOS静态
内存。组织为32,768 ×8位，经营
在单5伏电源。低运行
和待机电流。数据保留有保证
在电源电压低至1.5V 。这
器件封装在一个标准的28针
DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP ， TSOP -I向前
相反的类型。
框图
VCC
→
VSS
→
A0
→
A14
→
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15M256B-70N
T15M256B-70J
T15M256B-70D
T15M256B-85P
T15M256B-85R
T15M256B-70DG
T15M256B-70NI
T15M256B-70JI
T15M256B-70DI
T15M256B-85PI
T15M256B-85RI
包
CODE
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
D = SOP /无铅
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
-40 ~ +85
°C
0 ~ +70
°C
操作
温度
CS
→
OE
→
控制
WE
→
←
I / O1
数据I / O
←
I / O8
.
.
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：十月2003
版本：C
