CMLT3410 NPN
CMLT7410 PNP
CMLT3474 NPN / PNP
表面安装PICOmini
双通道，低VCE （ SAT ）
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CMLT3410
（双NPN ） ， CMLT7410 （双PNP ）和CMLT3474
（互补NPN & PNP ） ，低VCE （ SAT ）
在PICOmini 表面硅晶体管安装
包专为小信号通用
放大器和开关应用要求低
集电极 - 发射极饱和电压。
标记代码：
CMLT3410
NPN ：
CMLT7410
PNP ：
CMLT3474
NPN / PNP ：
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
40
25
6.0
1.0
1.5
350
-65到+150
357
C34
C74
C37
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C / W
o
SOT- 563案例
最大额定值：
(TA=25
o
C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（峰值）
功耗
工作和存储
结温
热阻
o
PER晶体管电气特性：
(TA=25
o
C除非另有说明）
典型值
符号
测试条件
民
NPN
PNP
最大
ICBO
VCB=40V
100
IEBO
VEB=6.0V
100
BVCBO
IC=100A
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100A
6.0
VCE （ SAT ）
IC = 50mA时IB = 5.0毫安
20
25
50
VCE （ SAT ）
IC = 100mA时IB = 10毫安
35
40
75
VCE （ SAT ）
IC =的200mA， IB = 20mA下
75
80
150
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
130
150
250
VCE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
200
220
400
VCE （ SAT ）
IC = 1.0A ， IB =百毫安
250
275
450
VBE （ SAT ）
IC = 800毫安， IB = 80毫安
1.1
VBE （ON）的
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
0.9
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 10毫安
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC =百毫安
100
300
100
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 500毫安
的hFE
VCE = 1.0V ， IC = 1.0A
50
fT
VCE = 10V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
100
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMLT3410 ）
10
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的（ CMLT7410 ）
15
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
pF
R0 （ 2005年28月）
