SILIICON平面齐纳二极管
3
3
CMBZ5229B到CMBZ5261B
4.3V至47V
引脚配置
1 =阳极
2 - NC
3 =阴极
SOT-23
形成SMD封装
2
1
1
2
在我正向电压
F
= 10毫安VF < 0.9 V & VF在200毫安<1.5V
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
Z
ZK
Z
ZT
设备
齐纳
TEST
I
Z
=0.25mA
I
Z
=I
ZT
电压
当前
V
Z
( + 5%)
I
ZT
@ 10 ％国防部
(Note1)
最大
最大
公称
mA
15
8.5
CMBZ5245B
600
16
16
7.8
CMBZ5246B
600
17
17
7.4
CMBZ5247B
600
19
18
7.0
CMBZ5248B
600
21
19
6.6
CMBZ5249B
600
23
20
6.2
CMBZ5250B
600
25
22
5.6
CMBZ5251B
600
29
24
5.2
CMBZ5252B
600
33
25
5.0
CMBZ5253B
600
35
27
4.6
CMBZ5254B
600
41
28
4.5
CMBZ5255B
600
44
30
4.2
CMBZ5256B
600
49
3.8
33
CMBZ5257B
700
58
3.4
36
CMBZ5258B
700
70
39
3.2
CMBZ5259B
800
80
43
3.0
CMBZ5260B
800
93
47
2.7
CMBZ5261B
1000
105
注1 ：脉冲测试20毫秒< TP < 50毫秒
CMBZ5229B_61BRev_1 290306E
I
R
T
a
= 25C
最大
A
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
记号
在V
R
V
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
36
8V
8W
8X
8Y
8Z
81A
81B
81C
81D
81E
81F
81G
81H
81J
81K
81L
81M
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
