STGP3NB60M - STGD3NB60M
N沟道3A - 600V TO- 220 / DPAK
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP3NB60M
STGD3NB60M
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）（最大）
@25°C
< 1.9 V
< 1.9 V
I
C
@100°C
3A
3A
3
3
1
2
高输入阻抗
低导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
低栅电荷
高电流能力
高频率运行
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
1
TO-220
DPAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体拥有DE-
签署IGBT的，上电先进的家庭
MESH IGBT的，以优异的perfomances 。
后缀"M"标识系列进行了优化，以
实现极低的开关切换时间高
高频应用（ <20KHZ ）
内部原理图
应用
电机控制
s
SMPS和PFC和硬开关
及谐振拓扑结构
s
订购信息
销售类型
STGP3NB60M
STGD3NB60MT4
记号
GP3NB60M
GD3NB60M
包
TO-220
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2003年6月
1/11
