位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第0页 > STW8009BS3R/LF > STW8009BS3R/LF PDF资料 > STW8009BS3R/LF PDF资料1第52页
STw8009/STw8019
电气特性
7
7.1
电气特性
绝对最大额定值
除非另有规定ED ：T已
A
= + 25 ° C，所有电压都参考GND 。
表23 。
符号
VDD
VDDIO
VCCA
VDCdig
VDCana
P最高
TSTG
VESD
绝对最大额定值
参数
数字内核电源电压
I / O数字供电电压
模拟电源电压
任何数字引脚上的直流输入电压
任何模拟引脚的直流输入电压
最大功率耗散
存储温度范围
人体模型
(1)
静电
放电电压
充电设备
模型
(2)
价值
-0.3 1.65
-0.3到+3.6
-0.3到+3.8
-0.3到+2.0
-0.3到+3.8
700
-40至125
-2至+2
-500到+500
单位
V
V
V
V
V
mW
°C
KV
V
1. HBM测试已符合已执行与JESD22 - A114 -B和ESD STM 5.1-2001.HBM
2. CDM测试已符合进行了清洁发展机制与ANSI- ESDSTM5.3.1-1999
7.2
工作条件
除非另有规定ED ：T已
A
= + 25 ° C，所有电压都参考GND 。
表24中。
符号
VDD
VDDIO
VCCA
TA
工作条件
参数
数字内核电源
电压
I / O数字供电电压
模拟电源电压
工作温度
分钟。
1.08
1.65
2.7
-30
典型值。
1.2
1.8
马克斯。
1.47
3.0
3.6
+85
单位
V
V
V
°C
51/65
